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NVR5198NLT1G

厂商名称：Onsemi

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管,MOSFET,AEC-Q101,N通道,60 V,2.2 A,0.107 ohm,SOT-23,表面安装

英文描述：

MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH

数据手册：

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NVR5198NLT1G概述

NVR5198NLT1G是车规级功率MOSFET，60V，155 mΩ，单N沟道，逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)功能，适用于汽车应用。

特性

小尺寸工业标准表面贴装SOT-23封装

低rDS(on)，可降低传导损耗并提高效率

通过AECQ101认证和PPAP能力

符合RoHS标准

应用

锂离子电池的平衡

负载开关

终端产品

混合动力汽车/电动汽车

汽车信息娱乐系统

NVR5198NLT1G中文参数

制造商:	onsemi	最小工作温度:	- 55 C
产品种类:	MOSFET	最大工作温度:	+ 150 C
技术:	Si	Pd-功率耗散:	1.5 W
安装风格:	SMD/SMT	通道模式:	Enhancement
封装 / 箱体:	SOT-23-3	资格:	AEC-Q101
晶体管极性:	N-Channel	系列:	NVR5198NL
通道数量:	1 Channel	配置:	Single
Vds-漏源极击穿电压:	60 V	下降时间:	2 ns
Id-连续漏极电流:	2.2 A	正向跨导 - 最小值:	3 S
Rds On-漏源导通电阻:	155 mOhms	上升时间:	7 ns
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V	晶体管类型:	1 N-Channel
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V	典型关闭延迟时间:	13 ns
Qg-栅极电荷:	5.1 nC	典型接通延迟时间:	5 ns